更新时间：2024-09-20
原装搁贵贬滨颁放大器搁罢贬26008厂-30RFHICRFHIC，的射频和微波元件设计、商，拥有从分立器件到集成高功率放大器等广泛的产物线，采用包括GaN混合方案等技术，并从成本考量为客户提供方案。 RFHIC与 Cree深 入合作，为市场提供成熟的 GaN技术、产物。RFHIC通过 ISO9001和 14001认证，提供可信、可靠的产物。作为一个一站式方案提供商，我们可以处理
| 品牌 | 其他品牌 | 应用领域 | 建材,交通,航天 |
|---|
原装搁贵贬滨颁放大器搁罢贬26008厂-30
RFHIC，的射频和微波元件设计、商，拥有从分立器件到集成高功率放大器等广泛的产物线，采用包括GaN混合方案等技术，并从成本考量为客户提供方案。 RFHIC与 Cree深 入合作，为市场提供成熟的 GaN技术、产物。RFHIC通过 ISO9001和 14001认证，提供可信、可靠的产物。作为一个一站式方案提供商，我们可以处理 MMIC、裸片贴装、引线、封装，板上芯片、混合电路、表面贴装、射频测试以及全线质量控制，并且我们满足 RoHS及无铅等标准。 RFHIC 与美 Cree公司签署了合作协议，为 RFHIC 的 GaN 功放模块提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同时达成了市场合作方案，通过结合 Cree的晶片生产能力与 RFHIC在封装、放大集成、装配和模块设计方面的能力，更深入的推进 GaN HEMT方案的*。
RFHIC，的射频和微波元件设计、商，拥有从分立器件到集成高功率放大器等广泛的产物线，采用包括GaN混合方案等技术，并从成本考量为客户提供方案。 RFHIC与 Cree深 入合作，为市场提供成熟的 GaN技术、产物。RFHIC通过 ISO9001和 14001认证，提供可信、可靠的产物。作为一个一站式方案提供商，我们可以处理 MMIC、裸片贴装、引线、封装，板上芯片、混合电路、表面贴装、射频测试以及全线质量控制，并且我们满足 RoHS及无铅等标准。 RFHIC 与美 Cree公司签署了合作协议，为 RFHIC 的 GaN 功放模块提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同时达成了市场合作方案，通过结合 Cree的晶片生产能力与 RFHIC在封装、放大集成、装配和模块设计方面的能力，更深入的推进 GaN HEMT方案的*。
RFHIC，的射频和微波元件设计、商，拥有从分立器件到集成高功率放大器等广泛的产物线，采用包括GaN混合方案等技术，并从成本考量为客户提供方案。 RFHIC与 Cree深 入合作，为市场提供成熟的 GaN技术、产物。RFHIC通过 ISO9001和 14001认证，提供可信、可靠的产物。作为一个一站式方案提供商，我们可以处理 MMIC、裸片贴装、引线、封装，板上芯片、混合电路、表面贴装、射频测试以及全线质量控制，并且我们满足 RoHS及无铅等标准。 RFHIC 与美 Cree公司签署了合作协议，为 RFHIC 的 GaN 功放模块提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同时达成了市场合作方案，通过结合 Cree的晶片生产能力与 RFHIC在封装、放大集成、装配和模块设计方面的能力，更深入的推进 GaN HEMT方案的*。
原装搁贵贬滨颁放大器搁罢贬26008厂-30
