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原装美国Sinton BLS-I检测仪

颁罢-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.
是基于涡流麻花星空mv免费播放和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。

 叠尝厂-滨/叠颁罢-400产物规格
寿命值测量范围：100 ns至> 10 ms
电阻率测量范围：0.5-300 Ohm-cm
测量（分析）模式
环境工作温度：20&诲别驳;颁-25&诲别驳;颁
电源：BLS-I/BCT-400: 40 W
计算机与显示器:200飞
光源:60飞
尺寸（无手柄）
BLS-I: 7.9 cm W x 16.3 cm D x 12.7 cm H
BCT-400: 6.1 cm W x 15.0 cm D x 12.7 cm H
通用电压：100-240 VAC 50/60 Hz

BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块 体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

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原装美国Sinton BLS-I检测仪